老虎机游戏

马占红，男，1992年4月出生，宁夏同心人，中共党员，工学博士，讲师，硕士生导师，宁夏青年科技托举人才。到校工作以来，主持宁夏重点研发计划重点项目、宁夏自然科学基金优秀青年项目、宁夏青年科技人才托举工程项目、宁夏自然科学基金一般项目等科研项目。目前主要从事智能探测与智能传感、新型半导体光电芯片的相关研究工作，先后在Advanced Optical Materials, Journal of Alloys and Compounds, Optics Express, ACS Applied Nano Materials等学术期刊发表高质量SCI检索论文20余篇。

学习经历：

2011.9-2015.6，北京科技大学，学士

2015.9-2020.9，中国科老虎机游戏 大学，博士

工作经历：

2021.1-2023.3，老虎机游戏 物理与电子电气工程老虎机游戏

2023.3至今，老虎机游戏

讲授课程：

芯片与集成电流设计、传感器原理及应用、半导体器件物理

面向智能感知与新一代信息技术的发展需求，聚焦新型半导体光电探测芯片、高速图像传感器以及前沿的感算一体单片集成芯片的关键技术研究。通过材料、器件和电路的协同设计，发展先进的单片集成与异质集成技术，旨在突破传统架构的性能瓶颈，实现光、电、算的高效融合。

“半导体先进光电器件与芯片实验室”配备完善的器件制备、测试与表征平台，具备从材料制备到芯片研发的全流程研究条件保障。本课题组诚挚欢迎具有物理、电子、材料等本科专业背景的同学加入。

1.宁夏重点研发计划重点项目，高性能宽谱GaN-TMDCs垂直异质结光电探测集成芯片研发与应用,2026.06至2028.12,在研，主持

2.宁夏自然科学基金优秀青年项目，AlGaN基深紫外LED芯片缺陷性质及可靠性提升机制研究，2024.10至2027.10，在研,主持

3.宁夏青年科技托举人才项目，2024.01至2027.01，在研，主持

4.宁夏自然科学基金，AlGaN基深紫外LED器件可靠性及失效机理研究，结题，主持

5.宁夏重点研发项目，紫外光通信关键器件设计与应用研究,结题，主持

代表性论文：

1.Ding Y,Ma Z^*, et al. Multi-task learning with attention for efficient gas classification and concentration prediction in sensor arrays. Measurement Science and Technology, 2026, 37: 025102

2.Ma Z, Ji Y, et al. Numerical analysis of the influence of sidewall defects on AlGaN-based deep ultraviolet micro-light emitting diodes. Current Applied Physics, 2024, 67: 101-106.

3.Ma Z, Ma X, et al. Injection current and temperature dependence of the optoelectronic properties for electrical-stressed InGaN based micro-LEDs. Optical Material Express, 2023, 13(4): 1101-1109.

4.Ma Z, Ma C, Ma X, et al. Degradation mechanisms of perovskite nanocrystals in color-converted InGaN micro-light-emitting diodes. OpticsExpress, 2022, 30(20): 36921-36930.

5.Ma Z, Li X, Zhang C, et al. CsPb(Br/I)3Perovskite Nanocrystals for Hybrid GaN-Based High-Bandwidth White Light-Emitting Diodes. ACS Applied Nano Materials, 2021, 4(8): 8383-8389.

6.Ma Z, Almalki A, Yang X, et al. The influence of point defects on AlGaN-based deep ultraviolet LEDs. Journal of Alloys and Compounds, 2020, 845: 156177.

7.Ma Z, Cao H, Lin S, et al. Optical and frequency degradation behavior of GaN-based micro-LEDs for visible light communication. Optics Express, 2020, 28(9): 12795-12804.

8.Ma Z, Cao H, Lin S, et al. Degradation and failure mechanism of AlGaN-based UVC-LEDs. Solid-State Electronics, 2019, 156: 92-96.

9.李亚州，马占红，MOCVD载气流量对GaN外延生长的影响,人工晶体学报，2025，54(6): 979-985.

主编或参编的学术著作与教材：

专利及软件著作：

申请国家发明专利4项，授权1项

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